Línea del tiempo de electrónica de potencia.

1962 - Primer transistor de potencia

En este año, la compañía RCA desarrolló el primer transistor de potencia. A diferencia de los transistores convencionales, estos podían manejar corrientes y voltajes más altos, lo que permitió una mayor eficiencia en el diseño de circuitos de potencia.

1964 - del circuito integrado

El circuito integrado fue introducido en este año, lo que permitió una mayor densidad de componentes en un solo chip. Esto llevó a una mayor miniaturización de los dispositivos electrónicos de potencia.

1971 - Desarrollo del primer MOSFET

El transistor de óxido de metal-semiconductor (MOSFET) fue desarrollado en este año por la compañía RCA. Este dispositivo permitió un mayor control de la corriente a través del canal, lo que llevó a una mayor eficiencia en los diseños de circuitos de potencia.

1982 - Desarrollo del primer IGBT

El transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) fue desarrollado en este año por la compañía General Electric. Este dispositivo combinó las características de los transistores bipolares y MOSFET, lo que permitió mayores niveles de voltaje y corriente en los circuitos de potencia.

1997 - Primer módulo de potencia

El primer módulo de potencia fue desarrollado en este año por la compañía Mitsubishi Electric. Este módulo incluyó múltiples dispositivos de potencia en un solo paquete, lo que permitió una mayor facilidad de uso y diseño en los sistemas de potencia.

2007 - Desarrollo de la tecnología SiC

La tecnología de carburo de silicio (SiC) fue desarrollada en este año, lo que permitió una mayor eficiencia y densidad de potencia en los dispositivos electrónicos de potencia.

2012 - Desarrollo de la tecnología GaN

La tecnología de nitruro de galio (GaN) fue desarrollada en este año, lo que permitió una mayor eficiencia y densidad de potencia en los dispositivos electrónicos de potencia.

2018 - Desarrollo de módulos de potencia SiC y GaN

En este año, se desarrollaron los primeros módulos de potencia que utilizan tecnologías SiC y GaN. Estos módulos ofrecen una mayor eficiencia y densidad de potencia en comparación con los módulos de potencia convencionales.

2021 - Tendencias en la electrónica de potencia

Actualmente, la industria de la electrónica de potencia se está enfocando en el desarrollo de tecnologías que permitan una mayor eficiencia energética y una mayor densidad de potencia. Algunas de las tendencias actuales incluyen el uso de dispositivos SiC y GaN, la integración de dispositivos de potencia en sistemas de inteligencia artificial, y el desarrollo de sistemas de potencia más eficientes para vehículos eléctricos.

La línea del tiempo de la electrónica de potencia muestra la evolución de los dispositivos y tecnologías que han permitido una mayor eficiencia y densidad de potencia en los sistemas electrónicos. Desde el primer transistor de potencia hasta los módulos de potencia SiC y GaN, la electrónica de potencia sigue evolucionando para ofrecer soluciones más eficientes y poderosas para una amplia gama de aplicaciones.