Línea del tiempo de la memoria RAM.

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Índice
  1. 1968: Nacimiento de la memoria RAM
  2. 1970: Primeros chips de memoria RAM
  3. 1973: Memoria RAM de acceso aleatorio estático (SRAM)
  4. 1980: Memoria RAM de doble puerto
  5. 1982: Memoria RAM de doble acceso
  6. 1983: Memoria RAM de acceso aleatorio dinámico (DRAM) de alta velocidad
  7. 1987: Memoria RAM de acceso aleatorio estático (SRAM) de alta velocidad
  8. 1993: Memoria RAM sincrónica (SDRAM)
  9. 1997: Memoria RAM de doble velocidad de datos sincrónicos (DDR SDRAM)
  10. 2000: Memoria RAM de doble velocidad de datos sincrónicos dinámicos (DDR2 SDRAM)
  11. 2007: Memoria RAM de doble velocidad de datos sincrónicos dinámicos (DDR3 SDRAM)
  12. 2014: Memoria RAM de doble velocidad de datos sincrónicos dinámicos (DDR4 SDRAM)

1968: Nacimiento de la memoria RAM

En este año, Robert Dennard inventó la memoria RAM dinámica (DRAM), que permitió almacenar datos en circuitos integrados. La DRAM se convirtió en la forma más común de memoria RAM utilizada en las computadoras.

1970: Primeros chips de memoria RAM

En 1970, Intel lanzó el primer chip de memoria RAM, el Intel 1103. Este chip tenía una capacidad de 1 kilobit y se convirtió en el estándar de la industria para la memoria RAM.

1973: Memoria RAM de acceso aleatorio estático (SRAM)

En 1973, la memoria RAM de acceso aleatorio estático (SRAM) fue inventada por Hitachi. La SRAM es más rápida y más confiable que la DRAM, pero es más cara y tiene una menor densidad de almacenamiento.

1980: Memoria RAM de doble puerto

En 1980, la memoria RAM de doble puerto fue inventada por IBM. Esta memoria RAM permite que dos dispositivos accedan a ella al mismo tiempo, lo que la hace ideal para sistemas de alta velocidad y de alta disponibilidad.

1982: Memoria RAM de doble acceso

En 1982, la memoria RAM de doble acceso (DAM) fue inventada por Toshiba. Esta memoria RAM permite que dos operaciones de lectura o escritura se realicen al mismo tiempo.

1983: Memoria RAM de acceso aleatorio dinámico (DRAM) de alta velocidad

En 1983, la memoria RAM de acceso aleatorio dinámico (DRAM) de alta velocidad fue inventada por IBM. Esta memoria RAM tenía una velocidad de reloj más rápida que la DRAM estándar, lo que la hacía ideal para aplicaciones de alta velocidad.

1987: Memoria RAM de acceso aleatorio estático (SRAM) de alta velocidad

En 1987, la memoria RAM de acceso aleatorio estático (SRAM) de alta velocidad fue inventada por Intel. Esta memoria RAM tenía una velocidad de reloj más rápida que la SRAM estándar, lo que la hacía ideal para aplicaciones de alta velocidad.

1993: Memoria RAM sincrónica (SDRAM)

En 1993, la memoria RAM sincrónica (SDRAM) fue inventada por IBM. La SDRAM tiene una velocidad de reloj más rápida que la DRAM estándar y utiliza una señal de reloj para coordinar la transferencia de datos, lo que la hace más eficiente.

1997: Memoria RAM de doble velocidad de datos sincrónicos (DDR SDRAM)

En 1997, la memoria RAM de doble velocidad de datos sincrónicos (DDR SDRAM) fue inventada por Hyundai Electronics. La DDR SDRAM es una mejora de la SDRAM y tiene una velocidad de transferencia de datos más rápida.

2000: Memoria RAM de doble velocidad de datos sincrónicos dinámicos (DDR2 SDRAM)

En 2000, la memoria RAM de doble velocidad de datos sincrónicos dinámicos (DDR2 SDRAM) fue inventada por Infineon Technologies. La DDR2 SDRAM es una mejora de la DDR SDRAM y tiene una velocidad de transferencia de datos aún más rápida.

2007: Memoria RAM de doble velocidad de datos sincrónicos dinámicos (DDR3 SDRAM)

En 2007, la memoria RAM de doble velocidad de datos sincrónicos dinámicos (DDR3 SDRAM) fue inventada por Samsung. La DDR3 SDRAM es una mejora de la DDR2 SDRAM y tiene una velocidad de transferencia de datos aún más rápida.

2014: Memoria RAM de doble velocidad de datos sincrónicos dinámicos (DDR4 SDRAM)

En 2014, la memoria RAM de doble velocidad de datos sincrónicos dinámicos (DDR4 SDRAM) fue inventada por Samsung. La DDR4 SDRAM es una mejora de la DDR3 SDRAM y tiene una velocidad de transferencia de datos aún más rápida.

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